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2020年第51届半导体接口专家会议（SISC 2020）

时间：2020-12-16 至 2020-12-19

地点：美国

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2020年第51届半导体接口专家会议（SISC 2020）
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2020年第51届半导体接口专家会议（SISC 2020）
会议时间：2020-12-16 至 2020-12-19
会议地点： 美国 待定 周边酒店预订
会议规模： 暂无
主办单位： IEEE

发票类型： 增值税专用发票，增值税普通纸质发票，增值税普通电子发票
发票内容：会议费，会务费，会议服务费
领取方式：会后快递，现场领取
参会凭证：二维码电子票，凭个人报名信息签到

门票信息
暂无门票信息
会议介绍

第51届半导体接口专家会议（SISC 2020）将于2020年12月16-19日在美国举行。

SISC 2020涉及以下主题：

  • 氧化物和界面化学，结构，钝化和缺陷

  • 高流动性和替代基材上的绝缘子

  • Si及其界面上的SiO2和高k电介质

  • 非易失性存储器的堆叠电介质

  • 具有金属栅电极的MOS栅堆叠

  • 基于MOS的器件的电气特性，性能和可靠性

  • 纳米线，纳米管和石墨烯上的电介质

  • 表面清洁技术及其对电介质和界面的影响

  • 光电接口

  • 氧化物电子学和多铁学

目标受众： 固态物理学家，设备工程师和材料科学家。



参会指南
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